Toshiba bringt Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs der 3. Generation mit reduzierten Schaltverlusten auf den Markt

Dec 03, 2023

Neue Geräte im 4-Pin-Gehäuse bieten eine verbesserte Schaltleistung von MOSFETs in industriellen Anwendungen

Die Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) hat die TWxxxZxxxC-Serie mit zehn Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) auf den Markt gebracht, die auf ihrer Technologie der dritten Generation basieren. Sie sollen Verluste in einer Vielzahl industrieller Anwendungen reduzieren, darunter Schaltnetzteile für Server und Rechenzentren, Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EV), Photovoltaik-Wechselrichter (PV) und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV).

Geräte der TWxxxZxxxC-Serie sind die ersten SiC-Produkte von Toshiba, die in einem TO-247-4L(X)-Gehäuse mit einem vierten Pin untergebracht sind. Dies ermöglicht die Bereitstellung einer Kelvin-Verbindung des Signalquellenanschlusses für die Gate-Ansteuerung, wodurch die parasitären Induktivitätseffekte des internen Quellendrahts reduziert und die Hochgeschwindigkeitsschaltleistung verbessert werden. Ein Vergleich des TW045Z120C mit dem bestehenden TW045N120C (3-polig TO-247) von Toshiba zeigt eine Verbesserung des Einschaltverlusts um etwa 40 %, während der Ausschaltverlust um etwa 34 % verbessert wird.

Die neue TWxxxZxxxC-Serie umfasst fünf Geräte mit einer Drain-Source-Bewertung (VDSS) von 650 V und weitere fünf Geräte mit einer Nennspannung von 1200 V für Anwendungen mit höherer Spannung. Durch die typischen Drain-Source-Einschaltwiderstandswerte (RDS(ON)GD) werden selbst bei Hochfrequenzanwendungen geringe Verluste ermöglicht.

Die Geräte sind in der Lage, kontinuierliche Drainströme (ID) von bis zu 100 A zu liefern.

QUELLE:Toshiba